一種功率半導(dǎo)體器件的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910347370.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110190029B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN110190029B 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類(lèi)號(hào) H01L21/8234;H01L21/425 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 金恩澤;李宗憲;尹鍾晚 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 愛(ài)特微（張家港）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王巍巍
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新豐東路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為一種功率半導(dǎo)體器件的制備方法，在制備功率半導(dǎo)體器件時(shí)，為了支持器件在關(guān)閉（turn?off）時(shí)陽(yáng)極和陰極兩端能夠連接高電壓，必須在功率半導(dǎo)體器件周?chē)纬蛇吘壗K端區(qū)域?；镜臉?gòu)成要素包括，在形成PN結(jié)的P型well或N型well的加工過(guò)程中，無(wú)需經(jīng)過(guò)另外的掩蔽層步驟和離子注入步驟，而是與有源區(qū)的多數(shù)MOS柵極結(jié)構(gòu)cell或者二極管cell的形成所需要的離子注入步驟同時(shí)進(jìn)行，由于同時(shí)進(jìn)行離子注入加工所以形成了相同濃度的well。