一種功率半導(dǎo)體器件的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910347370.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110190029A | 公開（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110190029A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-09 |
| 分類號(hào) | H01L21/8234;H01L21/425 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 金恩澤;李宗憲;尹鍾晚 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 愛特微（張家港）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王巍巍 |
| 地址 | 215600 江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)新豐東路3號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明為一種功率半導(dǎo)體器件的制備方法，在制備功率半導(dǎo)體器件時(shí)，為了支持器件在關(guān)閉（turn?off）時(shí)陽極和陰極兩端能夠連接高電壓，必須在功率半導(dǎo)體器件周圍形成邊緣終端區(qū)域。基本的構(gòu)成要素包括，在形成PN結(jié)的P型well或N型well的加工過程中，無需經(jīng)過另外的掩蔽層步驟和離子注入步驟，而是與有源區(qū)的多數(shù)MOS柵極結(jié)構(gòu)cell或者二極管cell的形成所需要的離子注入步驟同時(shí)進(jìn)行，由于同時(shí)進(jìn)行離子注入加工所以形成了相同濃度的well。 |
