一種背面金屬化金共晶工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110170537.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112908848A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112908848A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類(lèi)號(hào) H01L21/3205 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王獻(xiàn)兵 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 愛(ài)特微（張家港）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王巍巍
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新豐東路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種背面金屬化金共晶工藝，包括如下步驟：（1）貼膜：在硅片正面貼保護(hù)膜；（2）修膜：沿硅片邊緣將保護(hù)膜修整齊；（3）背面減薄：通過(guò)減薄設(shè)備將硅片的背面減??；（4）背面腐蝕：將減薄后的硅片置于腐蝕槽中并加入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，腐蝕后取出，腐蝕液為氫氟酸、硝酸和活化液的混合物；（5）去膜：腐蝕后將硅片正面的保護(hù)膜去除，并對(duì)硅片進(jìn)行清洗，然后吹干；（6）背面蒸發(fā)：對(duì)硅片背面進(jìn)行金屬蒸發(fā)處理，在硅片背面形成金層；（7）真空合金：背面蒸發(fā)后將硅片置于真空合金爐中熔煉，形成金硅合金；完成背面金屬化金共晶工藝。本發(fā)明的背面金屬化金共晶工藝，其工藝成本大幅降低，且沒(méi)有毒性，在P型材料的硅片上可以使用。