InP/GaP/ZnS核殼量子點(diǎn)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710516796.X 申請日 -
公開（公告）號 CN107338048A 公開（公告）日 2017-11-10
申請公布號 CN107338048A 申請公布日 2017-11-10
分類號 C09K11/70(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 白潔;恒蔚宏 申請（專利權(quán)）人 深圳天吉新創(chuàng)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 彭輝劍
地址 518108 廣東省深圳市田區(qū)景田東路潤豐園匯景閣1棟B701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種InP/GaP/ZnS核殼量子點(diǎn)的制備方法，包括如下步驟：將銦前驅(qū)體、鎵前驅(qū)體和鋅前驅(qū)體溶解于有機(jī)溶劑，得到銦鎵鋅混合前驅(qū)體溶液；將磷前驅(qū)體加入所述銦鎵鋅混合前驅(qū)體溶液中，反應(yīng)后得到InP/GaP:Zn量子點(diǎn)核溶液；向所述InP/GaP:Zn量子點(diǎn)核溶液中間隔多次加入殼層材料進(jìn)行反應(yīng)，所述殼層材料為鋅鹽溶液和硫醇的混合溶液，得到所述InP/GaP/ZnS核殼量子點(diǎn)。本發(fā)明的制備方法合成工藝簡單，量子產(chǎn)量達(dá)60％?90％，熒光波長范圍覆蓋510?650nm。本發(fā)明制備的InP/GaP/ZnS核殼量子點(diǎn)的殼層厚度較厚、穩(wěn)定性好。