柱狀磁控濺射器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200610062227.4 申請日 -
公開（公告）號 CN101126152B 公開（公告）日 2010-04-21
申請公布號 CN101126152B 申請公布日 2010-04-21
分類號 C23C14/35(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 許生;徐升東;譚曉華 申請（專利權）人 深圳豪威科技集團股份有限公司
代理機構 深圳新創(chuàng)友知識產權代理有限公司 代理人 深圳豪威真空光電子股份有限公司;深圳豪威科技集團股份有限公司
地址 518054 廣東省深圳市南山區(qū)深南大道市高新技術工業(yè)村W1A區(qū)一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種柱狀磁控濺射器，包括靶筒、弧形屏蔽罩和磁極裝置，弧形屏蔽罩位于靶筒的側面，所述磁極裝置包括板狀磁軛、在板狀磁軛上同平面平行排列固定的一對側面磁鋼和中間磁鋼、位于側面磁鋼與中間磁鋼之間的中間間隔條，所述板狀磁軛平行排列固定在與弧形屏蔽罩相對的靶筒的另一側面。進一步，在所述中間磁鋼的上下端部增設有增強磁鋼，增強磁鋼的靠近端面的高度低于增強磁鋼的靠近中間磁鋼端面的高度。本發(fā)明通過設置增強磁鋼，克服了現有磁極排布會造成端部的磁場弱于中間的磁場的缺陷，使得整個靶面的水平磁場更加均勻，有利于整個靶刻蝕的均勻性而且形成了完整閉合的磁路，靶材的利用率得到了進一步的提高。