MEMS設(shè)備及其制備方法、電子設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201980086980.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113348145A 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN113348145A 申請公布日 2021-09-03
分類號 B81B3/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 羅松成;詹竣凱;游博丞;謝冠宏;方維倫 申請（專利權(quán)）人 共達(dá)電聲股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 史治法
地址 261200山東省濰坊市坊子區(qū)鳳山路68號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MEMS設(shè)備、包括該MEMS設(shè)備的電子設(shè)備以及該MEMS設(shè)備的制備方法，該MEMS設(shè)備的薄膜結(jié)構(gòu)（10）包括位于中間區(qū)域的具有第一剛性的第一剛性區(qū)域（110）和位于邊緣區(qū)域的具有第二剛性的第二剛性區(qū)域（120），第一剛性小于第二剛性，第二剛性區(qū)域包括至少一個從薄膜結(jié)構(gòu)（10）表面向外延伸的凸起（122）。MEMS設(shè)備的制備方法包括提供基板（210）；在基板（210）上形成溝槽（212）；提供薄膜結(jié)構(gòu)（10）。該MEMS設(shè)備通過增加支撐結(jié)構(gòu)擴(kuò)孔時的制程裕度，不會因為擴(kuò)孔誤差導(dǎo)致薄膜結(jié)構(gòu)的第一剛性區(qū)域（110）的剛性發(fā)生實質(zhì)性變化，從而避免影響MEMS設(shè)備的性能。