一種VDMOS器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811093637.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109103110B 公開（公告）日 2021-10-29
申請公布號 CN109103110B 申請公布日 2021-10-29
分類號 H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 盛世瑤蘭（深圳）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市蘭鋒盛世知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 馬世中
地址 518000 廣東省深圳市羅湖區(qū)桂園街道寶安南路3042號天地大廈21樓2113
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種VDMOS器件及其制作方法，所述方法包括：在外延層上表面依次生長柵氧化層以及位于所述柵氧化層表面且具有第一開口的多晶硅層；在所述外延層表面區(qū)域形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；在所述柵氧化層極及所述多晶硅層上表面形成第一介質(zhì)層；在所述第一開口內(nèi)形成多個源區(qū)光刻膠，對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行濕法腐蝕，以去除未被所述源區(qū)光刻膠覆蓋的第一介質(zhì)層以及被所述源區(qū)光刻膠覆蓋的部分所述第一介質(zhì)層，所保留的第一介質(zhì)層為第二介質(zhì)層；對所述柵氧化層進(jìn)行干法刻蝕，去除所述源區(qū)光刻膠下方以外的所述柵氧化層，以形成階梯狀的源區(qū)注入窗口；通過注入及熱驅(qū)入工藝，在所述體區(qū)表面區(qū)域形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)。