一種高通量薄膜的制備裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110135381.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112962067A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN112962067A 申請公布日 2021-06-15
分類號 C23C14/34（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 尹彬;張慶釗 申請（專利權）人 北京中科泰龍電子技術有限公司
代理機構 北京高沃律師事務所 代理人 張德才
地址 100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高通量薄膜的制備裝置及方法，涉及高通量薄膜制備裝置技術領域，主要結構包括樣品臺、多個濺射靶和擋板；所述樣品臺設置于所述多個濺射靶的中部，并與所述多個濺射靶相隔一定距離；所述擋板可移動的設置于所述多個濺射靶之間且位于所述樣品臺正下方。通過調整擋板和樣品臺之間的距離，改變?yōu)R射靶的功率，從而在樣品臺上由邊緣向中部濺射出不同成分的鍍膜，從而能夠對裝置內(nèi)部一次抽真空即可完成多個樣品的制備，大大縮短了制備樣品所需的時間，從而提高材料的研發(fā)速度。