一種高通量薄膜的制備裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110135381.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112962067A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN112962067A 申請公布日 2021-06-15
分類號 C23C14/34（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 尹彬;張慶釗 申請（專利權(quán)）人 北京中科泰龍電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京高沃律師事務(wù)所 代理人 張德才
地址 100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高通量薄膜的制備裝置及方法，涉及高通量薄膜制備裝置技術(shù)領(lǐng)域，主要結(jié)構(gòu)包括樣品臺、多個濺射靶和擋板；所述樣品臺設(shè)置于所述多個濺射靶的中部，并與所述多個濺射靶相隔一定距離；所述擋板可移動的設(shè)置于所述多個濺射靶之間且位于所述樣品臺正下方。通過調(diào)整擋板和樣品臺之間的距離，改變?yōu)R射靶的功率，從而在樣品臺上由邊緣向中部濺射出不同成分的鍍膜，從而能夠?qū)ρb置內(nèi)部一次抽真空即可完成多個樣品的制備，大大縮短了制備樣品所需的時間，從而提高材料的研發(fā)速度。