一種金屬氮化物阻擋層的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110285513.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103021931B 公開（公告）日 2015-09-23
申請公布號 CN103021931B 申請公布日 2015-09-23
分類號 H01L21/768(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王文東;夏洋;李超波;李勇滔;劉訓春 申請（專利權）人 北京中科泰龍電子技術有限公司
代理機構 北京華沛德權律師事務所 代理人 北京泰龍電子技術有限公司;中國科學院微電子研究所
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬氮化物阻擋層的制備方法，屬于半導體器件制造技術領域。所述金屬氮化物阻擋層采用物理氣相沉積方法制備，在沉積金屬層時，物理氣相沉積設備上的離子源產生氮離子束，向金屬層中注入氮離子。本發(fā)明采用等離子體輔助的物理氣相沉積的制備方法提高阻擋層的致密性，同時也保證其為非晶結構，非晶不存在晶界這樣的可供快速擴散的通道，是理想的阻擋層結構。