一種金屬氮化物阻擋層的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110285513.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103021931B 公開(kāi)（公告）日 2015-09-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN103021931B 申請(qǐng)公布日 2015-09-23
分類(lèi)號(hào) H01L21/768(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王文東;夏洋;李超波;李勇滔;劉訓(xùn)春 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京中科泰龍電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 北京泰龍電子技術(shù)有限公司;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
地址 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬氮化物阻擋層的制備方法，屬于半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域。所述金屬氮化物阻擋層采用物理氣相沉積方法制備，在沉積金屬層時(shí)，物理氣相沉積設(shè)備上的離子源產(chǎn)生氮離子束，向金屬層中注入氮離子。本發(fā)明采用等離子體輔助的物理氣相沉積的制備方法提高阻擋層的致密性，同時(shí)也保證其為非晶結(jié)構(gòu)，非晶不存在晶界這樣的可供快速擴(kuò)散的通道，是理想的阻擋層結(jié)構(gòu)。