一種鉭濺射靶材、制備方法和磁控濺射方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910128676.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109706431A | 公開(公告)日 | 2019-05-03 |
申請公布號 | CN109706431A | 申請公布日 | 2019-05-03 |
分類號 | C23C14/35 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 劉洋;劉瑞 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州鑫灃電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京科家知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張麗 |
地址 | 215000 江蘇省蘇州市太倉市陳門涇路103號工業(yè)園區(qū)11號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種鉭濺射靶材、制備方法和磁控濺射方法,所述鉭濺射靶材的平均晶粒直徑大于等于20mm,按質(zhì)量百分比計(jì),純度大于等于99.995%。本發(fā)明實(shí)施例的鉭濺射靶材具有較大尺寸的晶粒,降低了雜質(zhì)含量,提高了鉭濺射靶材的純度。而且,大尺寸的晶粒使在制備鉭濺射靶材時(shí)可減少鍛造、軋制、熱處理等壓延加工工序,減少了工藝步驟,降低了生產(chǎn)成本。 |
