金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711422725.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108133964A 公開（公告）日 2018-06-08
申請公布號 CN108133964A 申請公布日 2018-06-08
分類號 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 河南啟昂半導體有限公司
代理機構 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 深圳市晶特智造科技有限公司
地址 464000 河南省信陽市固始縣陳淋子鎮(zhèn)史河灣產業(yè)集聚區(qū)19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制作方法。所述制作方法獲得的金屬氧化物半導體場效應晶體管包括襯底、在襯底表面的兩端形成的淺溝道隔離結構、在襯底中間區(qū)域表面形成的柵介質層、在柵介質層兩端形成的側墻、在側墻下方的柵介質層下方的襯底上形成的輕摻雜漏極區(qū)域，在輕摻雜漏極區(qū)域與淺溝道隔離結構之間的襯底表面形成的源漏區(qū)、在源漏區(qū)及淺溝道隔離結構上形成的第一介質層、在第一介質層上形成的第二介質層、第二介質層及側墻圍成的溝槽、形成于溝槽側壁的功函數層、形成功函數層表面且填充于溝槽中的金屬柵層，其中，溝槽包括位于側墻之間的截面為矩形的部分及位于第二介質層中截面為倒梯形的部分。