一種化合物半導(dǎo)體的腐蝕方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610757979.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106257624A 公開（公告）日 2016-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN106257624A 申請(qǐng)公布日 2016-12-28
分類號(hào) H01L21/3065(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 法比奧·圣阿加塔;艾莉娜·耶爾沃利諾;羅伯特·索科洛夫斯基;董明智 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京代爾夫特電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 北京代爾夫特電子科技有限公司
地址 100028 北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種化合物半導(dǎo)體的腐蝕方法，所述方法包括如下步驟：(1)在化合物半導(dǎo)體上覆蓋圖案化的掩膜層；所述化合物半導(dǎo)體為二元和/或多元III?V族化合物半導(dǎo)體；(2)采用高密度等離子體源產(chǎn)生的高密度等離子體對(duì)暴露的化合物半導(dǎo)體進(jìn)行氧化處理，得到氧化層，其中掩膜層不與高密度氧等離子體反應(yīng)；(3)去除氧化層；(4)去除圖案化的掩膜層，得到腐蝕后的化合物半導(dǎo)體。所述方法能夠快速、精確控制二元和/或多元III?V族化合物半導(dǎo)體的刻蝕速率和刻蝕深度，表面損傷較低，無(wú)殘留，且刻蝕表面均一性高，可用于晶體管凹柵和歐姆接觸等結(jié)構(gòu)的形成。