一種濕法腐蝕三族氮化物的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510958312.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105551951A 公開（公告）日 2016-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN105551951A 申請(qǐng)公布日 2016-05-04
分類號(hào) H01L21/306(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 法比奧·圣阿加塔;艾莉娜·耶爾沃利諾;羅伯特·索科洛夫斯基;董明智;張國(guó)旗;王小葵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京代爾夫特電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 北京代爾夫特電子科技有限公司
地址 100028 北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種濕法腐蝕三族氮化物的方法，所述方法為：先用氧化劑溶液將三族氮化物中的金屬元素氧化為金屬氧化物，再用氧化物腐蝕液將金屬氧化物去除，即得到腐蝕后的三族氮化物。本發(fā)明提供的腐蝕三族氮化物的方法中的氧化只會(huì)發(fā)生在三族氮化物表層及表層以下的一定深度(幾個(gè)至十幾個(gè)納米)；所述氧化物的去除不會(huì)損傷氧化物之下的氮化物材料；所述方法只需溶液腐蝕環(huán)境，腐蝕過程無需高溫，可在100℃以下，甚至常溫下進(jìn)行，對(duì)工藝和設(shè)備要求低，適于大規(guī)模生產(chǎn)。