一種抑制區(qū)熔級(jí)多晶硅CVD過程中硅枝晶生長的界面浸潤性調(diào)控方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110573715.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113387360A 公開（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113387360A 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) C01B33/035（2006.01）I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 梁正;孟國均;李建設(shè);呂永峰;郭蕊;錢光凝;儀得志;陳源茂;劉紀(jì)江;丁遠(yuǎn)清 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 河南硅烷科技發(fā)展股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海旭誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立
地址 461700河南省許昌市襄城縣煤焦化循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種抑制區(qū)熔級(jí)多晶硅CVD過程中硅枝晶生長的界面浸潤性調(diào)控方法，涉及區(qū)熔級(jí)多晶硅領(lǐng)域，包括U型硅芯表面除去表面雜質(zhì)；置于熱裂解爐反應(yīng)器內(nèi)部，用氮?dú)庵脫Q空氣；用氫氣置換氮?dú)?；持續(xù)通入氫氣，對(duì)反應(yīng)器內(nèi)硅芯加載電流，使硅芯表面氧化層還原，調(diào)控其浸潤性并構(gòu)筑“超親硅”表面；調(diào)節(jié)電流控制硅芯達(dá)到反應(yīng)溫度，通入高純硅烷和高純氫氣的混合氣，硅烷在硅芯表面高溫裂解，產(chǎn)物硅在“超親硅”硅芯表面均勻成核、“層狀生長”，最終得到致密的多晶硅棒。本發(fā)明通過表界面調(diào)控，降低成核勢(shì)壘，可有效抑制硅沉積過程中的“島狀生長”與硅枝晶問題，從而獲得滿足區(qū)熔級(jí)多晶硅力學(xué)性能的產(chǎn)品，設(shè)計(jì)合理，操作方便，實(shí)用性強(qiáng)。