一種制備高純度Mg2Si的流化床反應(yīng)器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010229187.4 申請日 -
公開（公告）號 CN101947421A 公開（公告）日 2011-01-19
申請公布號 CN101947421A 申請公布日 2011-01-19
分類號 B01J8/24(2006.01)I;C01B33/06(2006.01)I 分類 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置;
發(fā)明人 魏飛;李軍;羅國華;李群;祁宏祥;張曉薇 申請（專利權(quán)）人 江蘇瑞昇工程技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 清華大學(xué);江蘇瑞昇工程技術(shù)有限公司;江蘇瑞祥化工有限公司
地址 100084 北京市海淀區(qū)清華園一號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種制備高純度Mg2Si的流化床反應(yīng)器，由第一物料添加口添加固體物料Mg和Si到流化床反應(yīng)器的反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔為物料發(fā)生反應(yīng)的場所，用帶有不同高度開孔的擋板分為多個反應(yīng)區(qū)，與第一物料添加口相連的為第一反應(yīng)區(qū)，所述不同高度開孔的擋板，用于控制物料和產(chǎn)物從當前反應(yīng)區(qū)往下一反應(yīng)區(qū)傳送，反應(yīng)所得產(chǎn)物最終都被傳送到最后一個反應(yīng)區(qū)，通過擋板上孔的高度控制物料的只能從當前反應(yīng)區(qū)書送達下一反應(yīng)區(qū)，不能進行回流，且大部分反應(yīng)在第一反應(yīng)區(qū)內(nèi)發(fā)生，未發(fā)生反應(yīng)的物料在后面的反應(yīng)區(qū)中進行進一步的反應(yīng)，通過避免物料回流返混提高了反應(yīng)產(chǎn)物的純度。