便于后續(xù)加工的GaN器件晶圓結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020472201.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211350655U | 公開（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申請公布號 | CN211350655U | 申請公布日 | 2020-08-25 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉春利 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)麗山路10號桑泰大廈903室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供一種便于后續(xù)加工的GaN器件晶圓結(jié)構(gòu)，包括GaN器件晶圓，在所述GaN器件晶圓的邊緣進行刻蝕到襯底或基板使得所述GaN器件晶圓的功能層的邊緣為圓形，在所述襯底或基板上覆蓋一圈保護介質(zhì)，所述保護介質(zhì)構(gòu)成邊緣刻蝕后的所述GaN器件晶圓的保護環(huán)。本實用新型能夠有效提高GaN器件晶圓在后續(xù)加工成GaN器件的性能可靠性以及良品率。?? |
