基于GaN材料的半導體器件材料層結(jié)構(gòu)以及GaN器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020475491.6 申請日 -
公開（公告）號 CN211320109U 公開（公告）日 2020-08-21
申請公布號 CN211320109U 申請公布日 2020-08-21
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 劉春利 申請（專利權(quán)）人 深圳鎵華微電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市鼎智專利代理事務所（普通合伙） 代理人 深圳鎵華微電子有限公司
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)麗山路10號桑泰大廈903室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種基于GaN材料的半導體器件材料層結(jié)構(gòu)，其包括襯底以及在襯底上依次形成的形核層、過渡層、超結(jié)晶格層、第一二維電子氣約束層、通道層、阻擋層、實時沉積于阻擋層上的第一鈍化層、第二二維電子氣約束層、實時沉積于所述第二二維電子氣約束層上的第二鈍化層、第三鈍化層，于所述通道層以及所述阻擋層之間形成二維電子氣，所述第一二維電子氣約束層的禁帶寬度大于所述通道層的禁帶寬度，所述第二二維電子氣約束層的禁帶寬度大于所述阻擋層的禁帶寬度，所述第三鈍化層為低壓等離子SiNx層。本實用新型從多方面來充分降低GaN器件的動態(tài)導通電阻，特別是高溫動態(tài)導通電阻，提高GaN器件的可靠性。??