氮化鎵MISHEMT結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020496854.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211455647U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211455647U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號(hào) | H01L21/335(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉春利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)麗山路10號(hào)桑泰大廈903室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種氮化鎵MISHEMT結(jié)構(gòu)，包括晶圓，晶圓形成有源極金屬、漏極金屬以及柵門金屬，在源極金屬、漏極金屬以及柵門金屬上方覆蓋有第一絕緣介質(zhì)層，第一絕緣介質(zhì)層于源極金屬以及漏極金屬相應(yīng)位置處分別具有開(kāi)口并在開(kāi)口內(nèi)形成有第一鏈接金屬，第一鏈接金屬上方覆蓋有第一源極金屬場(chǎng)板以及第一漏極金屬場(chǎng)板，第二絕緣介質(zhì)層覆蓋第一源極金屬場(chǎng)板、第一漏極金屬場(chǎng)板以及露出的第一絕緣介質(zhì)層，第二絕緣介質(zhì)層于源極金屬以及漏極金屬相應(yīng)位置處分別具有開(kāi)口并在開(kāi)口內(nèi)形成有第二鏈接金屬，第二鏈接金屬表面覆蓋有第二源極金屬場(chǎng)板以及第二漏極金屬場(chǎng)板，在第二源極金屬場(chǎng)板和第二漏極金屬場(chǎng)板表面覆蓋有鈍化層，能夠有效提高器件抗壓性能。?? |
