可提高GaN器件可靠性的器件結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020474428.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211455693U | 公開（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請公布號 | CN211455693U | 申請公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉春利 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳市鼎智專利代理事務所（普通合伙） | 代理人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)麗山路10號桑泰大廈903室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供一種可提高GaN器件可靠性的器件結(jié)構(gòu)，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心內(nèi)形成二維電子氣，在所述GaN器件核心的周圍從上表面至少刻蝕到二維電子氣所在層以下形成第一溝槽，所述第一溝槽構(gòu)成環(huán)槽并將所述GaN器件核心包圍，在所述第一溝槽內(nèi)填充有金屬。本實用新型可避免微觀裂紋的擴張。?? |
