氮化鎵MISHEMT的制作方法以及結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010265918.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111341660A | 公開（公告）日 | 2020-06-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111341660A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-26 |
| 分類號(hào) | H01L21/335(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉春利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)麗山路10號(hào)桑泰大廈903室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種氮化鎵MISHEMT的制作方法，包括：晶圓開槽并在槽內(nèi)沉積金屬得到源極金屬、漏極金屬以及柵門金屬；表面沉積第一絕緣介質(zhì)層；將第一絕緣介質(zhì)層開口以打開源極金屬以及漏極金屬，并在開口內(nèi)形成第一鏈接金屬；表面沉積第一金屬層；刻蝕第一金屬層得到鏈接源極金屬的第一源極金屬場(chǎng)板以及鏈接漏極金屬的第一漏極金屬場(chǎng)板；表面沉積第二絕緣介質(zhì)層；將第二絕緣介質(zhì)層開口以分別打開第一源極金屬場(chǎng)板以及第一漏極金屬場(chǎng)板，并在開口內(nèi)形成第二鏈接金屬；表面沉積第二金屬層；刻蝕第二金屬層得到鏈接第一源極金屬場(chǎng)板的第二源極金屬場(chǎng)板以及鏈接第一漏極金屬場(chǎng)板的第二漏極金屬場(chǎng)板；表面沉積鈍化層。本發(fā)明能夠有效提高器件抗壓性能。?? |
