可防止器件加工過程中交叉污染的GaN晶元結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020472202.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211455673U | 公開（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請公布號 | CN211455673U | 申請公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號 | H01L23/31(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉春利 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)麗山路10號桑泰大廈903室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供一種可防止器件加工過程中交叉污染的GaN晶元結(jié)構(gòu)，所述GaN晶元包括GaN外延材料結(jié)構(gòu)，所述GaN外延材料結(jié)構(gòu)包括襯底以及形成于所述襯底上的功能層，于所述GaN外延材料結(jié)構(gòu)的所有外表面覆蓋了外表層，所述外表層為低壓等離子SiNx。本實用新型在工藝加工過程中，防止了GaN晶元與生產(chǎn)線交叉感染。?? |
