一種基于PWM控制的開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710954815.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107863878B 公開（公告）日 2019-11-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN107863878B 申請(qǐng)公布日 2019-11-08
分類號(hào) H02M1/08（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 陳勁泉; 陸瑋; 倪川 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瓴芯電子科技（無(wú)錫）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王闖;葛莉華
地址 214000 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園E2-509
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于開關(guān)電源控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于降低開關(guān)電源電路中MOS管體二極管損耗的開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路，開關(guān)電源電路至少包括上MOS管、下MOS管和電感，驅(qū)動(dòng)電路包括上MOS管驅(qū)動(dòng)電源、下MOS管驅(qū)動(dòng)電源、時(shí)序控制電路、上MOS管驅(qū)動(dòng)電路和下MOS管驅(qū)動(dòng)電路，上MOS管驅(qū)動(dòng)電路和/或下MOS管驅(qū)動(dòng)電路由四個(gè)晶體管和一個(gè)開關(guān)構(gòu)成，有效避免了在下MOS管關(guān)斷到上MOS管導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換過(guò)程中下MOS管體二極管的導(dǎo)通和/或在上MOS管關(guān)斷到下MOS管導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換過(guò)程中上MOS管體二極管的導(dǎo)通，或者只有一小部分電流流過(guò)體二極管，從而有效降低了體二極管引起的反向恢復(fù)損耗。