一種爆炸場(chǎng)MEMS壓阻式壓力傳感器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110798999.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113483926A | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113483926A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-08 |
分類號(hào) | G01L1/22(2006.01)I;G01L9/04(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I;G01L19/06(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 康昊;嚴(yán)家佳;陳君;何性順;張俊峰;王丹;葉希洋;姬建榮;蘇健軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 西安近代化學(xué)研究所 |
代理機(jī)構(gòu) | 西安恒泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人 | 史玫 |
地址 | 710065陜西省西安市雁塔區(qū)丈八東路168號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種爆炸場(chǎng)MEMS壓阻式壓力傳感器,包括了兩個(gè)尺寸不同的敏感膜片,其中較小硅應(yīng)變膜可以設(shè)計(jì)為靈敏度較小,量程較大的結(jié)構(gòu),具有較強(qiáng)的過(guò)載能力,滿足沖擊波壓力峰值的測(cè)量;除此之外,其中較大硅應(yīng)變膜的上方設(shè)置帶有通孔的硅蓋帽,蓋帽與相應(yīng)硅應(yīng)變膜形成了空腔,通過(guò)合理設(shè)計(jì)氣孔和空腔的體積可以濾除具有高頻特征的沖擊波壓力信號(hào),使具有低頻、零頻的準(zhǔn)靜態(tài)壓力信號(hào)作用于相應(yīng)硅應(yīng)變膜;并且,兩個(gè)敏感膜片的背面均設(shè)計(jì)有島,當(dāng)壓力超過(guò)量程時(shí),島會(huì)與玻璃基底接觸,具有一定的抗過(guò)載能力,進(jìn)一步保護(hù)了具有高靈敏度、小量程的第一硅應(yīng)變膜。 |
