一種爆炸場MEMS壓阻式壓力傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110798999.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113483926A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113483926A 申請公布日 2021-10-08
分類號 G01L1/22（2006.01）I;G01L9/04（2006.01）I;G01L9/00（2006.01）I;G01L19/06（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 康昊;嚴家佳;陳君;何性順;張俊峰;王丹;葉希洋;姬建榮;蘇健軍 申請（專利權(quán)）人 西安近代化學(xué)研究所
代理機構(gòu) 西安恒泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 史玫
地址 710065陜西省西安市雁塔區(qū)丈八東路168號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種爆炸場MEMS壓阻式壓力傳感器，包括了兩個尺寸不同的敏感膜片，其中較小硅應(yīng)變膜可以設(shè)計為靈敏度較小，量程較大的結(jié)構(gòu)，具有較強的過載能力，滿足沖擊波壓力峰值的測量；除此之外，其中較大硅應(yīng)變膜的上方設(shè)置帶有通孔的硅蓋帽，蓋帽與相應(yīng)硅應(yīng)變膜形成了空腔，通過合理設(shè)計氣孔和空腔的體積可以濾除具有高頻特征的沖擊波壓力信號，使具有低頻、零頻的準靜態(tài)壓力信號作用于相應(yīng)硅應(yīng)變膜；并且，兩個敏感膜片的背面均設(shè)計有島，當壓力超過量程時，島會與玻璃基底接觸，具有一定的抗過載能力，進一步保護了具有高靈敏度、小量程的第一硅應(yīng)變膜。