半導(dǎo)體襯底層的處理方法和太陽能電池的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210189426.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114566568A 公開（公告）日 2022-05-31
申請公布號 CN114566568A 申請公布日 2022-05-31
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L21/228（2006.01）I;H01L21/316（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張良;張景;周錫偉;周肅;龔道仁;徐曉華 申請（專利權(quán)）人 安徽華晟新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 242000安徽省宣城市宣城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)青弋江大道宣城科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體襯底層的處理方法和太陽能電池的制備方法。半導(dǎo)體襯底層的處理方法包括提供單晶硅硅片的步驟、對所述單晶硅硅片的表面噴淋擴(kuò)散液的步驟和對單晶硅硅片進(jìn)行退火處理的步驟，還包括：在對單晶硅硅片的表面噴淋擴(kuò)散液之前，對所述單晶硅硅片進(jìn)行表面氧化處理，所述表面氧化處理用于增加所述單晶硅硅片的表面對所述擴(kuò)散液的親液性，以增加所述單晶硅硅片退火處理的均勻性。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體襯底層的處理方法可解決擴(kuò)散液鋪展不均勻的問題，極大提高半導(dǎo)體襯底層的性能。