一種硅光伏電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810002365.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108172686A 公開（公告）日 2018-06-15
申請公布號 CN108172686A 申請公布日 2018-06-15
分類號 H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張軍 申請（專利權(quán)）人 廣東珠海香洲高景太陽能技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 仲崇明
地址 519015 廣東省珠海市香洲區(qū)拱北桂花北路205號北嶺桂花工業(yè)村1棟1層11100室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硅光伏電池及其制備方法，所述硅光伏電池的制備方法包括：n型硅片表面硅納米線陣列的制備；將含有絕緣納米顆粒和Spiro?OMeTAD的氯苯溶液通過旋涂法旋涂于n型硅片上，并進行退火處理；接著將PEDOT:PSS溶液旋涂于n型硅片上，并進行退火處理，正面電極的制備；n型硅片背面8?羥基喹啉?鋰/氟化鋰復(fù)合界面層的制備；背面鋁電極的制備。通過旋涂含有絕緣納米顆粒和Spiro?OMeTAD的氯苯溶液，在形成Spiro?OMeTAD層的同時，絕緣納米顆粒將沉積于n型硅片表面，有效減少n型硅片表面的缺陷態(tài)，降低硅光伏電池的表面復(fù)合速率，進而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。