一種發(fā)光二極管的透明電極及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811406282.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109638136B 公開（公告）日 2019-04-16
申請公布號 CN109638136B 申請公布日 2019-04-16
分類號 H01L33/42(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 王鋼;卓毅;陳梓敏;馬學進;練海嘯 申請（專利權(quán)）人 廣州和光同盛科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州圣理華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中山大學;廣州和光同盛科技有限公司
地址 510260廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的透明電極，制備方法包括如下步驟：S1.對外延片表面進行化學清洗，然后放入MOCVD反應腔內(nèi)部保持300?900℃，壓力為3?100Torr，處理1～60min；S2.在保護氣氛下，調(diào)節(jié)生長溫度為450?650℃，調(diào)節(jié)反應腔的壓力為3?80Torr，然后通入銦源、錫源與氧源，控制生長速度為0.1?3nm/min，在預處理后的外延片表面生長厚度為40?500nm的ITO主體層；S3.在保護氣氛下，調(diào)節(jié)生長溫度為300?450℃，調(diào)節(jié)反應腔的壓力為3?80Torr，然后通入銦源、錫源與氧源，控制生長速度為1?10nm/min，在ITO主體層上生長厚度為20?200nm的ITO粗化層。本發(fā)明原位生長粗化層的方法十分契合所述ITO透明電極主體層的制備方法，且避免后續(xù)進行復雜的工藝處理，可以有效的提高LED的光萃取效率。??