一種發(fā)光二極管的透明電極及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811406282.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109638136B | 公開（公告）日 | 2019-04-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109638136B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-04-16 |
| 分類號(hào) | H01L33/42(2010.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 王鋼;卓毅;陳梓敏;馬學(xué)進(jìn);練海嘯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣州和光同盛科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州圣理華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 中山大學(xué);廣州和光同盛科技有限公司 |
| 地址 | 510260廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的透明電極，制備方法包括如下步驟：S1.對(duì)外延片表面進(jìn)行化學(xué)清洗，然后放入MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)部保持300?900℃，壓力為3?100Torr，處理1～60min；S2.在保護(hù)氣氛下，調(diào)節(jié)生長(zhǎng)溫度為450?650℃，調(diào)節(jié)反應(yīng)腔的壓力為3?80Torr，然后通入銦源、錫源與氧源，控制生長(zhǎng)速度為0.1?3nm/min，在預(yù)處理后的外延片表面生長(zhǎng)厚度為40?500nm的ITO主體層；S3.在保護(hù)氣氛下，調(diào)節(jié)生長(zhǎng)溫度為300?450℃，調(diào)節(jié)反應(yīng)腔的壓力為3?80Torr，然后通入銦源、錫源與氧源，控制生長(zhǎng)速度為1?10nm/min，在ITO主體層上生長(zhǎng)厚度為20?200nm的ITO粗化層。本發(fā)明原位生長(zhǎng)粗化層的方法十分契合所述ITO透明電極主體層的制備方法，且避免后續(xù)進(jìn)行復(fù)雜的工藝處理，可以有效的提高LED的光萃取效率。?? |
