一種紫外LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811623230.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109742210A 公開（公告）日 2019-05-10
申請公布號 CN109742210A 申請公布日 2019-05-10
分類號 H01L33/46（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王鋼; 陳偉驅(qū); 練海嘯; 陳梓敏; 馬學(xué)進 申請（專利權(quán)）人 廣州和光同盛科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州圣理華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中山大學(xué); 廣州和光同盛科技有限公司
地址 510260 廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種紫外LED芯片，由上至下依次為混合濾波片、襯底、緩沖層、n型半導(dǎo)體層、MQW有源層、p型半導(dǎo)體層、透明電流層、紫外DBR層以及金屬對稱電極；所述混合濾波片是由兩個中心波長不同的帶通濾波片組成，所述帶通濾波片是由TiO2、SiO2交替疊加，周期性排列組成的多層膜；所述紫外DBR層的材料是由SiO2、Ta2O5組成；所述金屬對稱電極為p型電極和n型電極，所述金屬對稱電極由Cr、Al、Ni、Ti、Pt、Au組成。本發(fā)明解決了目前紫外LED芯片中，ITO薄膜對紫外光有強吸收、紫外光的萃取效率低下以及熒光粉的利用效率不高的問題。