一種耐高壓的ESD保護器件、結構及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110740418.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113192952B 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113192952B 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L27/02（2006.01）I;H01L21/8222（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉森;劉筱偉;劉海彬;向可強;班桂春 申請（專利權）人 微龕（廣州）半導體有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 510663廣東省廣州市高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)科學大道18號A棟十一層1101單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種耐高壓的ESD保護器件、結構及制備方法，所述耐高壓的ESD保護結構包括ESD保護模塊和保護環(huán)；所述保護環(huán)位于所述ESD保護模塊的外周，所述保護環(huán)用于減少所述ESD保護模塊對外界的干擾；所述耐高壓ESD保護器件包括多個保護環(huán)和多個高壓ESD保護模塊；各個保護環(huán)通過相互連接形成一個整體；各個保護模塊之間相互并聯(lián)。本發(fā)明解決了高壓ESD保護器件的耐高壓問題，通過利用多種類型的二極管連接形成穩(wěn)壓結構，實現(xiàn)了高壓ESD保護，同時提出了利用分割保護環(huán)對其進行屏蔽的設計，提升了整體耐壓能力。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產業(yè)利用價值。