基于隧穿晶體管的ESD保護器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110645504.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113257906A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257906A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉森;劉筱偉;劉海彬;關(guān)宇軒;向可強 申請（專利權(quán)）人 微龕（廣州）半導體有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 林麗麗
地址 510663廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學大道18號A棟十一層1101單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于隧穿晶體管的ESD保護器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述ESD保護器件結(jié)構(gòu)包括：襯底；隧穿晶體管，位于所述襯底上方；其中，所述隧穿晶體管具有P型摻雜的半導體層；隔離結(jié)構(gòu)，位于所述隧穿晶體管兩側(cè)的所述襯底上方；深N阱，位于所述襯底和所述隧穿晶體管的半導體層之間，并通過貫穿所述隔離結(jié)構(gòu)的深N阱引出端引出。通過本發(fā)明提供的基于隧穿晶體管的ESD保護器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，解決了現(xiàn)有ESD保護器件尺寸大、低速的問題。