雙向ESD保護(hù)器件、結(jié)構(gòu)及制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011235908.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112151534B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-08-17 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112151534B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-17 |
分類號(hào) | H01L27/02;H01L21/84 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 史林森;劉興龍;關(guān)宇軒;李建平;劉森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 微龕(廣州)半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 佟婷婷 |
地址 | 510663 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)科學(xué)大道18號(hào)A棟十一層1101單元 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種雙向ESD保護(hù)器件、結(jié)構(gòu)及制備方法,ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)單元,ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)單元包括基底、N阱、第一P阱、第二P阱、第一P注入?yún)^(qū)、第二P注入?yún)^(qū)、第三P注入?yún)^(qū)、第一N注入?yún)^(qū)、第二N注入?yún)^(qū)、第一導(dǎo)電柵、第二導(dǎo)電柵及功能層引出結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的雙向ESD保護(hù)器件、結(jié)構(gòu)及制備方法,通過(guò)前柵可以改變阱的電勢(shì),背柵不僅可以改變阱電勢(shì),還可以改變集電結(jié)的勢(shì)壘,實(shí)現(xiàn)對(duì)觸發(fā)電壓的調(diào)制。無(wú)論正向還是反向的靜電信號(hào),都可以實(shí)現(xiàn)正負(fù)的調(diào)制,電壓范圍可變化而不影響其它器件,極大的增加了設(shè)計(jì)的靈活性以及系統(tǒng)的可靠性。本發(fā)明可采用多指結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提升泄放電流能力。 |
