觸發(fā)電壓可調雙向ESD保護器件、結構及制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010667706.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111863804B | 公開(公告)日 | 2021-09-07 |
申請公布號 | CN111863804B | 申請公布日 | 2021-09-07 |
分類號 | H01L27/02;H01L21/8222 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉森;李建平;史林森;劉興龍;羅建富 | 申請(專利權)人 | 微龕(廣州)半導體有限公司 |
代理機構 | 上海光華專利事務所(普通合伙) | 代理人 | 施婷婷 |
地址 | 510663 廣東省廣州市高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)科學大道18號A棟十一層1101單元 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種觸發(fā)電壓可調雙向ESD保護器件、結構及制備方法,包括:位于襯底上的深N阱;相鄰設置于深N阱內的N阱及P阱;以及,第一P+注入?yún)^(qū)及第二P+注入?yún)^(qū),第一P+注入?yún)^(qū)設置于N阱內,第二P+注入?yún)^(qū)設置于N阱及P阱內,第一P+注入?yún)^(qū)與第二P+注入?yún)^(qū)之間設置有隔離區(qū);第一P+注入?yún)^(qū)、N阱及第二P+注入?yún)^(qū)構成第一PNP三極管,第一P+注入?yún)^(qū)、N阱及P阱構成第二PNP三極管,N阱與第二P+注入?yún)^(qū)的接觸面積可調。本發(fā)明的觸發(fā)電壓可調雙向ESD保護器件、結構及制備方法將擊穿電壓不同的PNP三極管并聯(lián),通過調節(jié)并聯(lián)部分的接觸面積實現(xiàn)觸發(fā)電壓的可調;同時基于PNP三極管相當于背靠背的兩個二極管結構實現(xiàn)正負信號的雙向保護。 |
