觸發(fā)電壓可調(diào)雙向ESD保護(hù)器件、結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010667706.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111863804B 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN111863804B 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L27/02;H01L21/8222 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉森;李建平;史林森;劉興龍;羅建富 申請（專利權(quán)）人 微龕（廣州）半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 施婷婷
地址 510663 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)大道18號A棟十一層1101單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種觸發(fā)電壓可調(diào)雙向ESD保護(hù)器件、結(jié)構(gòu)及制備方法，包括：位于襯底上的深N阱；相鄰設(shè)置于深N阱內(nèi)的N阱及P阱；以及，第一P+注入?yún)^(qū)及第二P+注入?yún)^(qū)，第一P+注入?yún)^(qū)設(shè)置于N阱內(nèi)，第二P+注入?yún)^(qū)設(shè)置于N阱及P阱內(nèi)，第一P+注入?yún)^(qū)與第二P+注入?yún)^(qū)之間設(shè)置有隔離區(qū)；第一P+注入?yún)^(qū)、N阱及第二P+注入?yún)^(qū)構(gòu)成第一PNP三極管，第一P+注入?yún)^(qū)、N阱及P阱構(gòu)成第二PNP三極管，N阱與第二P+注入?yún)^(qū)的接觸面積可調(diào)。本發(fā)明的觸發(fā)電壓可調(diào)雙向ESD保護(hù)器件、結(jié)構(gòu)及制備方法將擊穿電壓不同的PNP三極管并聯(lián)，通過調(diào)節(jié)并聯(lián)部分的接觸面積實現(xiàn)觸發(fā)電壓的可調(diào)；同時基于PNP三極管相當(dāng)于背靠背的兩個二極管結(jié)構(gòu)實現(xiàn)正負(fù)信號的雙向保護(hù)。