一種非對(duì)稱MOSFET及其制造方法以及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010110911.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113299554A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113299554A 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉森;戴彬;史林森;劉筱偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 微龕（廣州）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 510663廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)科學(xué)大道18號(hào)A棟十一層1101單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種非對(duì)稱MOSFET及其制造方法以及半導(dǎo)體器件，非對(duì)稱MOSFET形成在絕緣體上硅襯底上，并且源極區(qū)的輕摻雜區(qū)的長(zhǎng)度小于漏極區(qū)的輕摻雜區(qū)的長(zhǎng)度，或者源極區(qū)沒(méi)有輕摻雜區(qū)。由于絕緣體上硅襯底自身的特點(diǎn)，使得絕緣體上硅比體硅能夠?qū)崿F(xiàn)更淺的源漏結(jié)，因而能夠制造更高速度的晶體管。尤其對(duì)于30nm以下的晶體管工藝，采用絕緣體上硅是提高晶體管速度的優(yōu)良解決方案。本發(fā)明的制造方法與傳統(tǒng)的非對(duì)稱MOSFET制造工藝兼容，整個(gè)過(guò)程不會(huì)產(chǎn)生成本的提高。半導(dǎo)體器件中非對(duì)稱MOSFET的不同的排布方式不需要增加光掩模版，也不會(huì)增加工藝控制的復(fù)雜度和傾斜角的控制難度，同時(shí)增加了實(shí)際電路使用中的豐富度。