一種非對稱MOSFET及其制造方法以及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010110911.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113299554A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299554A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉森;戴彬;史林森;劉筱偉 申請（專利權(quán)）人 微龕（廣州）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 510663廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)大道18號A棟十一層1101單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種非對稱MOSFET及其制造方法以及半導(dǎo)體器件，非對稱MOSFET形成在絕緣體上硅襯底上，并且源極區(qū)的輕摻雜區(qū)的長度小于漏極區(qū)的輕摻雜區(qū)的長度，或者源極區(qū)沒有輕摻雜區(qū)。由于絕緣體上硅襯底自身的特點(diǎn)，使得絕緣體上硅比體硅能夠?qū)崿F(xiàn)更淺的源漏結(jié)，因而能夠制造更高速度的晶體管。尤其對于30nm以下的晶體管工藝，采用絕緣體上硅是提高晶體管速度的優(yōu)良解決方案。本發(fā)明的制造方法與傳統(tǒng)的非對稱MOSFET制造工藝兼容，整個過程不會產(chǎn)生成本的提高。半導(dǎo)體器件中非對稱MOSFET的不同的排布方式不需要增加光掩模版，也不會增加工藝控制的復(fù)雜度和傾斜角的控制難度，同時增加了實際電路使用中的豐富度。