相位移掩模版、掩模版修補方法及設(shè)備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110858794.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113467180A | 公開(公告)日 | 2021-10-01 |
申請公布號 | CN113467180A | 申請公布日 | 2021-10-01 |
分類號 | G03F1/26;G03F1/72 | 分類 | 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)〔4〕; |
發(fā)明人 | 張哲瑋;高翌;朱佳楠 | 申請(專利權(quán))人 | 泉意光罩光電科技(濟南)有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 董艷芳 |
地址 | 250000 山東省濟南市高新區(qū)經(jīng)十路7000號漢峪金融商務(wù)中心A4-(4)辦公樓九層904室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請?zhí)峁┮环N相位移掩模版、掩模版修補方法及設(shè)備,涉及半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域。本申請在獲取到對應(yīng)掩模圖案區(qū)域內(nèi)存在遮光材料殘留物的目標(biāo)相移掩模版后,會針對該目標(biāo)相移掩模版的掩模圖案區(qū)域內(nèi)的遮光材料殘留物進行局部去除,以將遮光材料殘留物構(gòu)建為目標(biāo)光柵結(jié)構(gòu),此時對目標(biāo)相移掩模版中與遮光材料殘留物投影位置重疊的第一相移區(qū)域來說,該第一相移區(qū)域的靠近目標(biāo)光柵結(jié)構(gòu)的區(qū)域表面將相對于目標(biāo)光柵結(jié)構(gòu)部分暴露,使目標(biāo)相移掩模版中的第一相移區(qū)域能夠恢復(fù)相位移效應(yīng)及相消干涉功能,從而快速且有效地實現(xiàn)對具有遮光材料殘留物的相移掩模版的修補作業(yè),確保修補后的相移掩模版能夠達到預(yù)期曝光效果。 |
