相位移光罩殘留缺陷處理方法、系統(tǒng)和相位移光罩

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010879382.5 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111830779A 公開（公告）日 2020-10-27
申請公布號(hào) CN111830779A 申請公布日 2020-10-27
分類號(hào) G03F1/26;G03F1/72;G03F1/80;G03F1/82;G03F1/84;G03F7/16;H01L21/027;H01L21/033 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 蕭志偉;查思豪;蔡奇澄;簡永浩 申請（專利權(quán)）人 泉意光罩光電科技（濟(jì)南）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉曾
地址 250000 山東省濟(jì)南市高新區(qū)機(jī)場路7617號(hào)411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種相位移光罩殘留缺陷處理方法、系統(tǒng)和相位移光罩，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明采用了局部曝光技術(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)中的重新走一遍制程，并采用全面曝光技術(shù)相比，本發(fā)明通過對缺陷區(qū)域內(nèi)的光刻膠層進(jìn)行局部曝光和顯影，并使得缺陷位置漏出，然后進(jìn)行蝕刻，能夠精確地對金屬缺陷處進(jìn)行處理，避免了對整片的曝光處理，以減少缺陷處理花費(fèi)時(shí)間，縮短制程流程耗時(shí)，同時(shí)由于曝光范圍小，可以采用激光設(shè)備進(jìn)行局部曝光，避免使用光刻機(jī)，減少了光刻機(jī)產(chǎn)能的浪費(fèi)。