半導(dǎo)體器件及形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210178621.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114551323A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN114551323A 申請(qǐng)公布日 2022-05-27
分類(lèi)號(hào) H01L21/683（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏峰;相奇;徐偉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市嘉勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 510000廣東省廣州市南沙區(qū)黃閣鎮(zhèn)金茂西二街2號(hào)103房之六
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件及形成方法，形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的厚度為第一厚度，所述半導(dǎo)體襯底具有相對(duì)的第一表面和第二表面；在所述半導(dǎo)體襯底的第一表面形成支撐層，所述支撐層的熔點(diǎn)大于第一溫度閾值；在所述半導(dǎo)體襯底的第二表面形成器件層，所述第一溫度閾值大于等于所述器件層形成過(guò)程中的工藝溫度；去除所述支撐層。通過(guò)在所述半導(dǎo)體襯底的第一表面形成支撐層，該支撐層起到承受應(yīng)力的作用，可以使得襯底比較薄，降低了材料成本及晶圓加工成本的同時(shí)，提高了晶圓的抗物理沖擊能力，降低了碎片風(fēng)險(xiǎn)；另外，所述支撐層的熔點(diǎn)大于第一溫度閾值，可以防止該支撐層在后續(xù)形成器件層時(shí)發(fā)生融化失去支撐作用。