半導(dǎo)體器件及形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210178621.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114551323A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114551323A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏峰;相奇;徐偉 申請（專利權(quán)）人 廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 深圳市嘉勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 510000廣東省廣州市南沙區(qū)黃閣鎮(zhèn)金茂西二街2號103房之六
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件及形成方法，形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的厚度為第一厚度，所述半導(dǎo)體襯底具有相對的第一表面和第二表面；在所述半導(dǎo)體襯底的第一表面形成支撐層，所述支撐層的熔點大于第一溫度閾值；在所述半導(dǎo)體襯底的第二表面形成器件層，所述第一溫度閾值大于等于所述器件層形成過程中的工藝溫度；去除所述支撐層。通過在所述半導(dǎo)體襯底的第一表面形成支撐層，該支撐層起到承受應(yīng)力的作用，可以使得襯底比較薄，降低了材料成本及晶圓加工成本的同時，提高了晶圓的抗物理沖擊能力，降低了碎片風(fēng)險；另外，所述支撐層的熔點大于第一溫度閾值，可以防止該支撐層在后續(xù)形成器件層時發(fā)生融化失去支撐作用。