溝槽型晶體管及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210039022.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114496796A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114496796A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏峰;相奇;戴學春 申請（專利權）人 廣東芯粵能半導體有限公司
代理機構 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 代理人 -
地址 510000廣東省廣州市南沙區(qū)黃閣鎮(zhèn)金茂西二街2號103房之六
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開一種溝槽型晶體管及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底內形成第一溝槽；在所述第一溝槽的內部表面形成柵介質材料層；刻所述第一溝槽底部的柵介質材料層至暴露出所述第一溝槽的底部的基底，形成位于所述第一溝槽側壁的柵介質層；繼續(xù)沿所述第一溝槽刻蝕所述基底，在所述第一溝槽底部形成所述第二溝槽；在所述第二溝槽的內壁表面形成隔離層；在所述第一溝槽和所述第二溝槽內填充柵極。上述方法形成的溝槽型晶體管的性能得到提高。