半導體結構、半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210004678.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114334621A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114334621A 申請公布日 2022-04-12
分類號 H01L21/04（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L21/308（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏峰;相奇 申請（專利權）人 廣東芯粵能半導體有限公司
代理機構 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 史治法
地址 511458廣東省廣州市南沙區(qū)環(huán)市大道南33號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導體結構、半導體器件及其制備方法。半導體結構的制備方法包括：提供襯底；于襯底內(nèi)形成初始凹槽，初始凹槽內(nèi)具有尖銳拐角；對初始凹槽進行平滑處理，以去除尖銳拐角，得到具有光滑內(nèi)壁的溝槽。在上述半導體結構的制備方法中，通過將初始凹槽中的尖銳拐角進行平滑處理，可以去除所有尖銳拐角，形成具有光滑內(nèi)壁的溝槽，從而可以防止電場線在尖銳拐角處集中，避免出現(xiàn)局部電場強度過高從而擊穿介電層的情況，提高半導體結構的可靠性。并且，與尖銳拐角相比，光滑的溝槽內(nèi)壁對電流通路具有明顯的擴展作用，降低了導通電阻。