半導體結構及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210038158.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114496795A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114496795A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏峰;相奇;戴學春 申請（專利權）人 廣東芯粵能半導體有限公司
代理機構 深圳市嘉勤知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 -
地址 510000廣東省廣州市南沙區(qū)黃閣鎮(zhèn)金茂西二街2號103房之六
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開一種半導體結構及其形成方法，所述半導體結構包括：提供基底，在所述基底內(nèi)形成具有第一深度的第一溝槽；在所述第一溝槽的側壁表面形成犧牲層；沿形成有所述犧牲層的所述第一溝槽刻蝕所述基底，形成位于所述第一溝槽下方的第二溝槽；在所述第二溝槽的內(nèi)壁形成隔離層；去除所述犧牲層，暴露出所述第一溝槽的側壁；在所述第一溝槽的側壁表面形成柵介質(zhì)層。所述半導體結構的性能得到提高。