一種雙真空艙室晶圓質(zhì)子輻照裝置及輻照方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111509361.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113903490A 公開（公告）日 2022-01-07
申請公布號 CN113903490A 申請公布日 2022-01-07
分類號 G21K5/00（2006.01）I;H01L21/263（2006.01）I 分類 核物理；核工程;
發(fā)明人 呂銀龍;葛濤;王婉琳;張俊新;馮雨;石玉博;郭如勇;孫璽 申請（專利權(quán)）人 國核鈾業(yè)發(fā)展有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京知聯(lián)天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張迎新
地址 100089北京市海淀區(qū)清華東路35號北林學(xué)研中心C棟1層107房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種雙真空艙室晶圓質(zhì)子輻照裝置及輻照方法，所述雙真空艙室晶圓質(zhì)子輻照裝置包括：晶圓輻照真空艙和換片真空艙，所述晶圓輻照真空艙和換片真空艙通過連接真空段連通；所述連接真空段外設(shè)有屏蔽墻；所述晶圓輻照真空艙設(shè)置于輻照廳，所述換片真空艙設(shè)置于輻照前廳，所述屏蔽墻把所述輻照廳和輻照前廳密封隔離開。所述輻照裝置非常適合于高能質(zhì)子輻照，有利于大幅減輕工作人員所受到的射線傷害，可以實現(xiàn)晶圓的均勻化輻照，提高輻照質(zhì)量，容量大，提高生產(chǎn)效率，保證了晶圓托盤平穩(wěn)傳輸，有效到位，不會對大氣造成活化，有助于從兩個方面提高輻照精度能夠?qū)崿F(xiàn)高性能IGBT芯片的生產(chǎn)和軟度因子大于2的快軟恢復(fù)快軟恢復(fù)二極管的制造。