微功耗電壓基準(zhǔn)電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910023590.9 申請日 -
公開（公告）號 CN101667049B 公開（公告）日 2011-08-10
申請公布號 CN101667049B 申請公布日 2011-08-10
分類號 G05F3/24(2006.01)I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 劉成;魏廷存;孫井龍 申請（專利權(quán)）人 西安龍騰微電子科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 代理人 黃毅新
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)業(yè)研發(fā)園C區(qū)1號瞪羚谷E座6F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種微功耗電壓基準(zhǔn)電路，包括一個耗盡型NMOS晶體管M2、一個增強(qiáng)型NMOS晶體管M5、一個增強(qiáng)型NMOS晶體管M3以及電阻R2。該電路功耗極低，結(jié)構(gòu)簡單，節(jié)省芯片面積。電路不需要啟動電路，耗盡型NMOS晶體管M2在VGS＝0的情況下即導(dǎo)通，可提供極小的恒定電流(nA級)，該電流流經(jīng)增強(qiáng)型NMOS晶體管M5，在增強(qiáng)型NMOS晶體管M5上產(chǎn)生恒定的柵-源電壓，該電壓即為電壓基準(zhǔn)。電路消耗極低電流(約850nA)，可滿足低功耗設(shè)計的要求。