高精度電壓基準(zhǔn)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910023592.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101667050B 公開(kāi)（公告）日 2011-11-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN101667050B 申請(qǐng)公布日 2011-11-30
分類(lèi)號(hào) G05F3/24(2006.01)I 分類(lèi) 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 劉成;魏廷存;孫井龍 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 西安龍騰微電子科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西北工業(yè)大學(xué)專(zhuān)利中心 代理人 黃毅新
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號(hào)創(chuàng)業(yè)研發(fā)園C區(qū)1號(hào)瞪羚谷E座6F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種高精度電壓基準(zhǔn)電路，包括耗盡型NMOS晶體管M4、增強(qiáng)型NMOS晶體管M5，其特點(diǎn)是還包括一個(gè)耗盡型NMOS晶體管M3，所述耗盡型NMOS晶體管M3的漏極連接正電源VDD，耗盡型NMOS晶體管M3的柵極和源極相連并與耗盡型NMOS晶體管M4的漏極連接，耗盡型NMOS晶體管M4的柵極和源極相連并連接到增強(qiáng)型NMOS晶體管M5的漏極，增強(qiáng)型NMOS晶體管M5的柵極和漏極相連接，增強(qiáng)型NMOS晶體管M5的源極和負(fù)電源VSS相連接，增強(qiáng)型NMOS晶體管M5的柵極即為電壓基準(zhǔn)的輸出端。由于耗盡型NMOS晶體管M3和耗盡型NMOS晶體管M4組成共源共柵電路，具有很高的輸出阻抗，從而穩(wěn)定了電壓基準(zhǔn)的輸出。