高精度電壓基準電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910023592.8 申請日 -
公開（公告）號 CN101667050B 公開（公告）日 2011-11-30
申請公布號 CN101667050B 申請公布日 2011-11-30
分類號 G05F3/24(2006.01)I 分類 控制；調節(jié);
發(fā)明人 劉成;魏廷存;孫井龍 申請（專利權）人 西安龍騰微電子科技發(fā)展有限公司
代理機構 西北工業(yè)大學專利中心 代理人 黃毅新
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)業(yè)研發(fā)園C區(qū)1號瞪羚谷E座6F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高精度電壓基準電路，包括耗盡型NMOS晶體管M4、增強型NMOS晶體管M5，其特點是還包括一個耗盡型NMOS晶體管M3，所述耗盡型NMOS晶體管M3的漏極連接正電源VDD，耗盡型NMOS晶體管M3的柵極和源極相連并與耗盡型NMOS晶體管M4的漏極連接，耗盡型NMOS晶體管M4的柵極和源極相連并連接到增強型NMOS晶體管M5的漏極，增強型NMOS晶體管M5的柵極和漏極相連接，增強型NMOS晶體管M5的源極和負電源VSS相連接，增強型NMOS晶體管M5的柵極即為電壓基準的輸出端。由于耗盡型NMOS晶體管M3和耗盡型NMOS晶體管M4組成共源共柵電路，具有很高的輸出阻抗，從而穩(wěn)定了電壓基準的輸出。