鋰電池充放電保護(hù)芯片中的輸出驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910023594.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101667740B 公開（公告）日 2011-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN101667740B 申請(qǐng)公布日 2011-08-10
分類號(hào) H02J7/00(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 魏廷存;劉成;孫井龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安龍騰微電子科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 代理人 黃毅新
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號(hào)創(chuàng)業(yè)研發(fā)園C區(qū)1號(hào)瞪羚谷E座6F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鋰電池充放電保護(hù)芯片中的輸出驅(qū)動(dòng)電路，由增強(qiáng)型PMOS晶體管M1、電阻R1、耗盡型NMOS晶體管M2組成電平轉(zhuǎn)換電路，電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端為COUT_1，輸出端為電阻R1一端的COUT_2；增強(qiáng)型PMOS晶體管M1的源極連接正電源VDD，柵極連接電路的輸入端COUT_1，漏極連接電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接耗盡型NMOS晶體管M2的漏極，耗盡型NMOS晶體管M2的柵極和源極短接并連接到負(fù)電源VM。由于電平轉(zhuǎn)換電路采用耗盡型NMOS晶體管M2，在VGS＝0的情況下即可導(dǎo)通且提供極小的恒定電流，保證了正確的電平轉(zhuǎn)換功能，降低了貫通電流，進(jìn)而降低電路功耗。流過(guò)NMOS晶體管M2的最大電流由現(xiàn)有技術(shù)的800nA降低到110nA，比現(xiàn)有技術(shù)電流減小了86％。