隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011295454.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112397581B 公開(kāi)（公告）日 2022-06-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN112397581B 申請(qǐng)公布日 2022-06-10
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L29/15（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孔繁生;周華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 光華臨港工程應(yīng)用技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法。所述隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括：襯底表面垂直設(shè)置的源極和漏極，以及源極和漏極之間導(dǎo)電溝道區(qū)；導(dǎo)電溝道區(qū)外圍由內(nèi)向外環(huán)繞設(shè)置柵氧化層和柵極；所述導(dǎo)電溝道區(qū)的材料為窄帶超晶格材料。