氣體傳感器的制備方法及氣體傳感器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011581584.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112713183B 公開（公告）日 2022-06-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN112713183B 申請(qǐng)公布日 2022-06-10
分類號(hào) H01L29/205（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;G01N27/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 盧紅亮;陳丁波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 光華臨港工程應(yīng)用技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種氣體傳感器的制備方法和氣體傳感器，所述方法包括：提供一表面具有GaN緩沖層的Si襯底；在所述GaN緩沖層上形成外延疊層，所述外延疊層從下向上依次為GaN溝道層、AlN插入層、AlGaN勢(shì)壘層、以及GaN帽層；刻蝕所述外延疊層，形成臺(tái)階狀異質(zhì)結(jié)構(gòu)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)器件隔離；形成歐姆接觸電極和肖特基接觸電極，所述歐姆接觸電極位于所述GaN帽層上，所述肖特基接觸電極位于刻蝕區(qū)域底部的GaN緩沖層上；退火；形成敏感材料層，所述敏感材料層連接所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述肖特基接觸電極。本發(fā)明降低了氣體傳感器的開啟電壓和功率損耗。同時(shí)縮短了敏感材料層與二維電子氣之間的距離，載流子的傳輸不再隧穿通過(guò)AlGaN勢(shì)壘層，保持高的遷移率，器件具有更高的靈敏度。