一種高容量的硅碳材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011247011.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112421002A 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN112421002A 申請公布日 2021-02-26
分類號 H01M4/48(2010.01)I;H01M4/36(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M4/38(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 喬喬;王圓方;李興月;平國政;高川;梁運輝 申請（專利權(quán)）人 成都愛敏特新能源技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 成都熠邦鼎立專利代理有限公司 代理人 李曉英
地址 610000四川省成都市天府新區(qū)邛崍產(chǎn)業(yè)園區(qū)羊縱七路21號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高容量的硅碳材料及其制備方法，該硅碳材料以硅材料為核，以摻有導(dǎo)電劑的碳層為殼。該制備方法包括：S1，將硅源、包覆劑以及導(dǎo)電劑混合均勻，得混合物料；S2，融合所述混合物料；S3，高溫包覆處理；S4，高溫炭化處理。本發(fā)明在融合過程中可使硅源、包覆劑和導(dǎo)電劑更均勻、更緊密的粘結(jié)，導(dǎo)電劑的添加可增強硅碳材料的導(dǎo)電性，融合過程可以避免導(dǎo)電劑顆粒之間的團聚，使其均勻分散，同時通過表面高溫動態(tài)包覆，硅源的外層的包覆劑可對暴露的硅源進行表面修飾，且碳表面可形成一層較穩(wěn)定的、光滑的固體電解質(zhì)界面膜，因此制備的硅碳材料可具備高的容量及效率，并且良好的包覆層可有效的緩解硅碳材料的體積膨脹，使循環(huán)性能得到提升。??