有機電致發(fā)光器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610116356.0 申請日 -
公開（公告）號 CN105755467A 公開（公告）日 2016-07-13
申請公布號 CN105755467A 申請公布日 2016-07-13
分類號 C23C28/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 樂清經(jīng)濟開發(fā)區(qū)投資發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 深圳市神州聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳明志;浙江成森電氣有限公司
地址 362300 福建省泉州市南安市霞美鎮(zhèn)山美村山美南路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，其特征在于，所述陽極為導(dǎo)電薄膜，包括層疊的ZnO：R3+層及V2O5層，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種；所述ZnO：R3+層是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為30nm～400nm；所述ZnO：R3+層的厚度為50nm～800nm，所述V2O5層的厚度為0.5nm～10nm。上述有機電致發(fā)光器件通過在ZnO：R3+層的表面沉積及高功函的V2O5層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持ZnO：R3+層的良好的導(dǎo)電性能，又使有機電致發(fā)光器件的功函數(shù)得到了顯著的提高。