一種碳化硅溝槽型JFET的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310187771.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103354208B 公開（公告）日 2016-01-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN103354208B 申請(qǐng)公布日 2016-01-06
分類號(hào) H01L21/337(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司;瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 100192 北京市海淀區(qū)清河西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園B-1西廳
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅溝槽型JFET的制作方法，該方法包括如下步驟：在SiC第一導(dǎo)電類型的襯底上依次外延生長第一導(dǎo)電類型的漂移層、溝道層和帽子層；在帽子層上淀積第一掩膜層并形成掩膜圖形；以第一掩膜層作為掩膜，刻蝕帽子層和溝道層至漂移層形成溝槽；各向同性地淀積第二掩膜層；各向異性法地刻蝕去除溝槽底部和第一掩膜層上的第二掩膜層；對(duì)暴露的漂移層進(jìn)行離子注入，在漂移層中形成第二導(dǎo)電類型的離子注入?yún)^(qū)以與漂移層形成pn二極管；去除剩余的掩膜層并淀積隔離層；用光刻的方法至少部分地去除帽子層和溝槽底部的隔離層；在襯底上，暴露的帽子層和暴露的離子注入?yún)^(qū)中形成歐姆接觸。所述方法能夠防止溝道因離子注入產(chǎn)生損傷和缺陷。