一種碳化硅二極管器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201820254563.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN207868205U 公開(kāi)（公告）日 2018-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN207868205U 申請(qǐng)公布日 2018-09-14
分類號(hào) H01L29/872;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/16;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳彤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司;瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 100000 北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園B區(qū)1號(hào)樓106A、113A、115A、117A、119A、121A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種碳化硅二極管器件，其元胞結(jié)構(gòu)包括：自上而下以此設(shè)置陽(yáng)極金屬、p型外延層、n型漂移層、n+襯底以及陰極金屬，所述p型外延層頂部設(shè)有接觸槽，所述陽(yáng)極金屬底部設(shè)有突起部，所述接觸槽與所述突起部相互匹配，解決結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管中，由于pn結(jié)區(qū)域的存在，導(dǎo)通狀態(tài)下器件有效導(dǎo)通面積較小，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻較高的問(wèn)題。