NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910590912.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110289038B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110289038B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-07 |
| 分類號(hào) | G11C7/06(2006.01)I;G11C7/18(2006.01)I;G11C16/24(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 馮一飛;蔡萬(wàn)方;王志剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王洋 |
| 地址 | 519080廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)大學(xué)路101號(hào)清華科技園3座305 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器，該連接方法應(yīng)用于讀出放大器。其中，讀出放大器包括高壓器件以及低壓器件，且高壓器件以及低壓器件均包括柵極以及有源區(qū)。具體的，本方法將高壓器件設(shè)置在讀出放大器中的第一預(yù)設(shè)位置，將低壓器件設(shè)置在讀出放大器中與第一預(yù)設(shè)位置相鄰的第二預(yù)設(shè)位置。然后設(shè)置位線為連續(xù)不斷的第二金屬走線，每條位線通過(guò)第一過(guò)孔與一個(gè)高壓器件中柵極電相連，高壓器件中的有源區(qū)通過(guò)第二過(guò)孔與第一金屬走線的一端電相連，第一金屬走線的另一端通過(guò)第三過(guò)孔與一個(gè)低壓器件的有源區(qū)電相連。即本發(fā)明將高壓器件的有源區(qū)通過(guò)第一金屬走線與低壓器件相連，位線無(wú)需被切斷，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝。?? |
