NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910590912.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110289038B 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN110289038B 申請公布日 2021-05-07
分類號 G11C7/06(2006.01)I;G11C7/18(2006.01)I;G11C16/24(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 馮一飛;蔡萬方;王志剛 申請（專利權(quán)）人 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王洋
地址 519080廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)大學(xué)路101號清華科技園3座305
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器，該連接方法應(yīng)用于讀出放大器。其中，讀出放大器包括高壓器件以及低壓器件，且高壓器件以及低壓器件均包括柵極以及有源區(qū)。具體的，本方法將高壓器件設(shè)置在讀出放大器中的第一預(yù)設(shè)位置，將低壓器件設(shè)置在讀出放大器中與第一預(yù)設(shè)位置相鄰的第二預(yù)設(shè)位置。然后設(shè)置位線為連續(xù)不斷的第二金屬走線，每條位線通過第一過孔與一個(gè)高壓器件中柵極電相連，高壓器件中的有源區(qū)通過第二過孔與第一金屬走線的一端電相連，第一金屬走線的另一端通過第三過孔與一個(gè)低壓器件的有源區(qū)電相連。即本發(fā)明將高壓器件的有源區(qū)通過第一金屬走線與低壓器件相連，位線無需被切斷，簡化了生產(chǎn)工藝。??