一種存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)單元的制作方法以及存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111315396.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114038918A 公開（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114038918A 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類號(hào) H01L29/792（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/11568（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳歡;李立;賈宬;王志剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 耿苑
地址 519080廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)大學(xué)路101號(hào)清華科技園3棟305
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)單元的制作方法以及存儲(chǔ)器。所述存儲(chǔ)單元包括：襯底，所述襯底的一側(cè)表面內(nèi)具有阱區(qū)；位于所述表面上的隧穿氧化層；位于所述隧穿氧化層背離所述阱區(qū)一側(cè)表面的第一電荷存儲(chǔ)層；位于所述第一電荷存儲(chǔ)層背離所述隧穿氧化層一側(cè)表面的第二電荷存儲(chǔ)層；位于所述第二電荷存儲(chǔ)層背離所述第一電荷存儲(chǔ)層一側(cè)表面的調(diào)度氧化層；其中，所述第二電荷存儲(chǔ)層的電荷保持能力大于所述第一電荷存儲(chǔ)層。應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案，提高了器件的存儲(chǔ)性能以及可靠性。